陶瓷元件之制造方法

摘要

本发明系关于，用以保护IC，LSI等半导体元件不受杂讯，脉冲，静电等异常高压影响之陶瓷元件之制造方法，其目的在提供，藉降低元件之阻抗，便能够去除，抑制信号线之高频杂讯之陶瓷零件。为了达成上述目的，本发明系在电极(2)间，至少施加1次，最大值在50kV以下，从初期值至取大值之时间为200微毫秒以下，从上述初期值经最大值再回到初期值之时间在１微秒以下，能量在0.5焦耳以下之脉冲电压。