| 摘要 |
【課題】半導体チップに流れるオン・オフ等の過渡時における電流不平衡を抑制できる半導体パッケージを提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体パッケージは、絶縁性の第１基板と、複数の第１導電層と、複数の半導体チップと、第２導電層と、第１端子と、第２端子と、を有する。第１基板は、第１面を有する。第１導電層は、第１面の上に設けられている。複数の半導体チップのそれぞれは、第１電極と第２電極とを有する。それぞれの第１導電層には、少なくとも１つの半導体チップの第１電極が接続されている。第２導電層は、複数の第１導電層と離間して第１面の上に設けられている。第２導電層は、複数の第２電極と接続されている。第１端子は、複数の第１導電層に接続されている。複数の第１導電層のそれぞれと第１延在部との間のインダクタンスは実質的に等しい。第２端子は、第２導電層に接続されている。【選択図】図２ |
