含有铝之 –V族化合物半导体元件之电极形成方法

主权项

1.一种含有铝Ⅲ-V族化石物半导体元件之电极形成方法,在含有铝之Ⅲ-V族化合物半导体底板之电极形成面上,预先形成钛(Ti)膜后,更形成以金(Au)为主体之合金层,并将合金层蚀刻成所规定之图型,以设定能作电阻接触之电极,其后将底板上除此电极部以外之钛膜加以去除,为徵者。2.如请求专利部份第1.项中所记述之方法,其特征为,该钛膜之膜厚系在600 以下者。3.如请求专利部份第1.项中所记述之方法,其特征为,该钛膜之去除系用氢氟酸水溶液达成者。