发明名称 半导体结构的形成方法
摘要 一种半导体结构的形成方法,本发明在所述NMOS区域的基底内直接注入第一防穿通离子以形成第一注入层,之后通过刻蚀基底形成多个鳍部,且位于NMOS区域的第一鳍部之间的基底表面低于所述第一注入层,位于所述第一鳍部中剩余的第一注入层构成第一防穿通层,从而使第一防穿通离子主要分布在分离的第一鳍部内,从而减少了第一防穿通离子的扩散,减少由于扩散而导致的第一防穿通离子的注入剂量损失,降低了第一防穿通离子扩散进入PMOS区域的可能,从而提高所形成的半导体结构的性能,提高制造半导体结构的良品率。
申请公布号 CN106611710A 申请公布日期 2017.05.03
申请号 CN201510690768.0 申请日期 2015.10.22
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 周飞
分类号 H01L21/336(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 高静;吴敏
主权项 一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括相邻的NMOS区域和PMOS区域;向所述NMOS区域的基底内注入第一防穿通离子,在所述NMOS区域的基底内形成第一注入层;刻蚀所述基底形成多个鳍部,包括位于NMOS区域的第一鳍部,所述第一鳍部之间的基底表面低于所述第一注入层,位于所述第一鳍部中剩余的第一注入层构成第一防穿通层;在所述第一鳍部之间形成隔离结构,所述隔离结构的表面高于所述第一防穿通层的顶部;进行退火工艺,以激活所述第一防穿通层。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号