| 发明名称 | 降低多晶硅表面粗糙度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种降低多晶硅表面粗糙度的方法，其包括如下步骤：i)将O<sub>3</sub>水与多晶硅层的表面接触进行氧化处理，在多晶硅层的表面形成表面氧化层；ii)将多晶硅层的表面形成的表面氧化层与HF溶液接触进行蚀刻处理，得到经氧化处理和刻蚀处理的多晶硅层；iii)依次重复步骤i)的氧化处理和步骤ii)的蚀刻处理过程n次，直至多晶硅界面处凸起的高度小于30nm，其中n为正整数。本发明方法利用O<sub>3</sub>水对多晶硅层表面进行氧化处理，O<sub>3</sub>具有强氧化性，大幅缩短氧化时间；然后经多次氧化处理和蚀刻处理显著提高多晶硅膜表面的平整度，以减少薄膜晶体管的漏电流，优化其电性。 | ||
| 申请公布号 | CN106601593A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201611235212.3 | 申请日期 | 2016.12.28 |
| 申请人 | 武汉华星光电技术有限公司 | 发明人 | 李勇 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 吴大建 |
| 主权项 | 一种降低多晶硅表面粗糙度的方法，其包括如下步骤：i)将O<sub>3</sub>水与多晶硅层的表面接触进行氧化处理，在多晶硅层的表面形成表面氧化层；ii)将在多晶硅层的表面形成的表面氧化层与HF溶液接触进行蚀刻处理，得到经氧化处理和蚀刻处理的多晶硅层；iii)依次重复步骤i)的氧化处理和步骤ii)的蚀刻处理过程n次，直至多晶硅界面处凸起的高度小于30nm，其中n为正整数。 | ||
| 地址 | 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 | ||