一种N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备方法，属材料制备技术领域。该制备方法为：将有机前驱体进行预处理；将催化剂形成于柔性衬底上；将有机前躯体和柔性衬底一起置于气氛烧结炉中，加热至1700‑1800℃进行热解，然后冷却降温至1000‑1200℃，最后随炉降至室温，得到N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料。本发明不仅实现了N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备，而且，本发明所制备的N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料在不同温度下均具有较低的开启电场，同时，在高温下也具有稳定的电子发射特性。

主权项

一种N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：将含Si和C元素的有机前躯体进行预处理；将催化剂Au、Ag、Cu中的一种形成于柔性衬底上，催化剂的厚度为5‑20nm；将有机前躯体和柔性衬底一起置于气氛烧结炉中，以20‑40℃/min的升温速率加热至1700‑1800℃进行热解，然后以10‑20℃/min的速率冷却降温至1000‑1200℃，最后随炉降至室温，得到N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料；其中，N掺杂SiC纳米针中N原子掺杂量为2‑10at％，N掺杂SiC纳米针包括有棱柱结构，纳米针长为1‑100μm，针尖端的直径为50‑500nm。