| 发明名称 | 一种改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法，包括：第一步骤：在存储器单元的栅极结构侧壁上形成浮栅隔离侧墙；第二步骤：对所述浮栅隔离侧墙进行湿法浸渍处理；第三步骤：在栅极结构之间沉积多晶硅材料；第四步骤：对沉积的多晶硅材料进行化学机械研磨。在本发明中，在存储器单元字线化学机械研磨工艺之前，由于对所述浮栅隔离侧墙进行湿法浸渍处理以降低了所述浮栅隔离侧墙的高度，因此能够有效地改善字线关键尺寸较小的情况下的存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN106601608A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201710079129.X | 申请日期 | 2017.02.14 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 陈宏;王哲献;徐涛;曹子贵;王卉 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L27/115(2017.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 一种改善存储器单元字线化学机械研磨工艺窗口的方法，其特征在于包括：第一步骤：在存储器单元的栅极结构侧壁上形成浮栅隔离侧墙；第二步骤：对所述浮栅隔离侧墙进行湿法浸渍处理；第三步骤：在栅极结构之间沉积多晶硅材料；第四步骤：对沉积的多晶硅材料进行化学机械研磨。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||