| 发明名称 | 半导体驱动装置以及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种能够在例如包含D锁存电路等在内的电平移位电路中，抑制负电涌的不良影响的技术。半导体驱动装置具有负电涌检测电路(32)、电平移位电路(31)。负电涌检测电路(32)检测在P侧SW元件(1a)与N侧SW元件(1b)的连接点(1c)处是否产生了负电涌。电平移位电路(31)在由负电涌检测电路(32)检测出负电涌的产生的情况下，保持用于P侧SW元件(1a)的驱动的驱动电压。 | ||
| 申请公布号 | CN104348346B | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201410381448.2 | 申请日期 | 2014.08.05 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 今西元纪;堺宪治;仲岛天贵 |
| 分类号 | H02M1/32(2007.01)I | 主分类号 | H02M1/32(2007.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体驱动装置，其能够驱动串联连接在高电位与低电位之间的高压侧半导体开关元件以及低压侧半导体开关元件，其中，该半导体驱动装置具有：负电涌检测电路，其对所述高压侧半导体开关元件与所述低压侧半导体开关元件的连接点处的第1电位，与比在所述连接点处没有产生负电涌的情况下的所述第1电位高的预先确定的第2电位进行比较，检测在所述连接点处是否产生了负电涌；以及电平移位电路，其在由所述负电涌检测电路检测出所述负电涌的产生的情况下，保持用于所述高压侧半导体开关元件的驱动的驱动电压。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||