| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了一种半导体器件，包括：具有鳍的半导体衬底；与鳍相交的栅极以及位于栅极两侧的鳍内的源区和漏区；分别在源区和漏区处形成且与源区和漏区相接触的金属硅化物；其中在所述金属硅化物与源区、漏区接触的界面处存在能够降低金属硅化物与源区、漏区之间的肖特基势垒高度的杂质掺杂物。所提供的半导体器件能够降低金属硅化物与源区、漏区之间的肖特基势垒高度，进而减小接触的比电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN106601820A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201710017569.2 | 申请日期 | 2017.01.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 罗军;赵超;刘实 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 赵伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：具有鳍的半导体衬底；与鳍相交的栅极以及位于栅极两侧的鳍内的源区和漏区；分别在源区和漏区处形成且与源区和漏区相接触的金属硅化物；其中在所述金属硅化物与源区、漏区接触的界面处存在能够降低金属硅化物与源区、漏区之间的肖特基势垒高度的杂质掺杂物。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||