一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体及其制备方法

摘要

本发明涉及一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体及其制备方法。一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰人工晶状体的制备方法，包括以下工艺步骤：取干净的人工晶状体，并通过表面预处理获得化学活性表面；化学活性表面与含可反应性功能基团的POSS化学反应，获得表面接枝有笼状POSS的人工晶状体。本发明的优点是通过纳米笼状POSS修饰获得表面微纳复合结构，从而获得超疏水表面，抑制晶状体上皮细胞粘附，得到高生物相容性人工晶状体。

主权项

一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体，其特征在于：所述人工晶状体表面接枝有一层笼状聚倍半硅氧烷，所述的人工晶状体采用以下方法制备,包括以下步骤：（1）取干净的人工晶状体，并通过表面预处理获得化学活性表面，表面预处理方法为表面硅烷偶联剂处理，表面多巴胺自聚合处理，表面碱溶液浸处理中的一种； （2）将通过表面预处理后的人工晶状体与含可反应性化学基团的笼状聚倍半硅氧烷化学接枝，获得表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体。