| 发明名称 | 暗场半导体晶圆检查装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种暗场半导体晶圆检查装置，按以下顺序包括光源、集中器(7)、平行的第一和第二狭缝(13、14)和光电倍增管，光源用于沿着第一轴向晶圆发射入射光束，集中器(7)相对于通过第一和第二轴的平面对称并且设置有沿着垂直于轴(该轴垂直于第一轴)的平面的椭圆形切割并且具有平行于第一轴的母线的反射镜，平行的第一和第二狭缝(13、14)分别侧面地设置在用于集中通过晶圆散射和通过集中器的第二和第一部分反射的光的点处的集中器的第一和第二部分(9，10)中，光电倍增管利用狭缝。 | ||
| 申请公布号 | CN104169713B | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201280058849.3 | 申请日期 | 2012.10.09 |
| 申请人 | 阿尔塔科技半导体公司 | 发明人 | P·加斯塔尔多;F·佩尔诺 |
| 分类号 | G01N21/94(2006.01)I;G01N21/95(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/94(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种用于检查半导体晶圆的装置，所述装置包括光源和光电倍增管，所述光源用于沿着第一轴向晶圆发射入射光束，其特征在于，所述装置按照顺序包括光源、集中器(7)、第一和第二平行的狭缝(15，16)和光电倍增管，所述集中器(7)相对于通过第一和第二轴的平面对称并且设置有具有沿着垂直于第二轴的平面的椭圆形截面并且具有平行于所述第一轴的母线的反射镜，其中所述第二轴垂直于所述第一轴，所述第一和第二平行的狭缝(15，16)分别在通过所述晶圆散射和通过所述集中器的第二和第一部分反射的光的集中点处的集中器的第一和第二部分(9，10)中横向地形成，并且每个狭缝一个光电倍增管。 | ||
| 地址 | 法国蒙特邦奥圣马尔坦 | ||