集成电路装置及制造半导体与存储器装置的方法

摘要

本发明公开了一种集成电路装置及制造半导体与存储器装置的方法，该制造方法包括在衬底上形成多个交错的有源层与绝缘层，其中有源层包括有源材料；刻蚀交错的有源层与绝缘层，以定义多个有源层带叠层；刻蚀完成后，引发有源层带内晶体成长。衬底可包括具结晶结构位向的单晶质表面，且有源层带内的晶体成长可在有源层带接近侧表面处，形成具有衬底的结晶位向的结晶材料。引发晶体成长的步骤包括在衬底及多个叠层之上沉积种子层，种子层接触衬底以及多个叠层中有源层带的侧表面。方法更可包括引发有源层带内晶体成长后，移除种子层。

主权项

一种制造半导体装置的方法，包括下列步骤：形成多个有源层，所述有源层包括一有源材料，且于一衬底上与绝缘层交错；刻蚀与绝缘层交错的所述有源层，以定义有源层带的多个叠层，所述有源层带具有侧表面且于所述衬底上与绝缘层带交错；以及于包括所述有源材料的所述有源层带内引发晶体成长；其中所述衬底具有一单晶表面，所述单晶表面具一晶体位向，所述晶体成长步骤至少在所述有源层带接近侧表面处形成具有所述晶体位向的结晶材料；所述有源材料包括多晶硅，所述多晶硅在所述晶体成长步骤前具有一平均晶粒尺寸，所述晶体成长步骤增加所述平均晶粒尺寸；所述有源层带具有小于10纳米的第一宽度，增加后的所述平均晶粒尺寸具有至少40纳米的第二宽度。