| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，在所述NMOS区域和所述PMOS区域上形成有被隔离材料层部分覆盖的若干鳍片；步骤S2：对所述NMOS区域和所述PMOS区域上的所述隔离材料层分别进行不同类型的沟道停止离子注入，以在被所述隔离材料层覆盖的所述鳍片中形成不同掺杂类型的沟道穿通停止层；步骤S3：回蚀刻所述隔离材料层至所述沟道穿通停止层底端或以下，以形成目标高度的鳍片同时去除所述隔离材料层中注入的离子；步骤S4：在所述隔离材料层表面以及所述鳍片底部的侧壁上形成扩散阻挡层，以完全覆盖所述隔离材料层和所述沟道穿通停止层；步骤S5：执行退火步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN106601686A | 申请公布日期 | 2017.04.26 |
| 申请号 | CN201510673877.1 | 申请日期 | 2015.10.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 周飞 |
| 分类号 | H01L21/8244(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8244(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，在所述NMOS区域和所述PMOS区域上形成有被隔离材料层部分覆盖的若干鳍片；步骤S2：对所述NMOS区域和所述PMOS区域上的所述隔离材料层分别进行不同类型的沟道停止离子注入，以在被所述隔离材料层覆盖的所述鳍片中形成不同掺杂类型的沟道穿通停止层；步骤S3：回蚀刻所述隔离材料层至所述沟道穿通停止层底端或以下，以形成目标高度的鳍片同时去除所述隔离材料层中注入的离子；步骤S4：在所述隔离材料层表面以及所述鳍片底部的侧壁上形成扩散阻挡层，以完全覆盖所述隔离材料层和所述沟道穿通停止层；步骤S5：执行退火步骤。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||