| 发明名称 | 基于氧化物的三端子电阻式开关逻辑器件 | ||
| 摘要 | 描述了基于氧化物的三端子电阻式开关逻辑器件和制造基于氧化物的三端子电阻式开关逻辑器件的方法。在第一示例中，三端子电阻式开关逻辑器件包括设置在衬底上方的活性区。活性区包括直接设置在金属源极区和金属漏极区之间的活性氧化物材料区。器件还包括设置在活性氧化物材料区上方的栅极电极。在第二示例中，三端子电阻式开关逻辑器件包括设置在衬底上方的活性区。活性区包括从第二氧化物材料区间隔开的第一活性氧化物材料区。器件还包括设置在第一和第二活性氧化物材料区的任一侧上的金属输入区。金属输出区设置在第一和第二活性氧化物材料区之间。 | ||
| 申请公布号 | CN106575703A | 申请公布日期 | 2017.04.19 |
| 申请号 | CN201480079273.8 | 申请日期 | 2014.06.26 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | E·V·卡尔波夫;P·马吉;R·皮拉里塞泰;B·S·多伊尔;N·慕克吉;U·沙阿;R·S·周 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种三端子电阻式开关逻辑器件，包括：设置在衬底上方的活性区，所述活性区包括直接设置在金属源极区与金属漏极区之间的活性氧化物材料区；以及设置在所述活性氧化物材料区上方的栅极电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||