CMOS非易失存储器单元电路

摘要

本发明公开了一种CMOS非易失存储器单元电路，该电路具有四个信号输入端口：分别为CTR，T，W，EN，两个信号输出端口：分别为OUT1和OUT2。该电路由五个PMOS晶体管PM1~PM5和一个电容C1组成。其中晶体管PM1和PM2的栅极和电容C1的一个端口连接在一起，形成一个浮空的存储电荷节点，晶体管PM3的栅极接地，在数据读出时作为参考晶体管使用，晶体管PM4和PM5作为开关使用，用于控制存储单元数据的输出，本发明的特点是制作时工艺流程简单，具有更短的加工时间和更低的成本，此外，该电路的电子隧穿晶体管与数据读出晶体管采用不同的晶体管实现，避免了电子注入和擦除操作对存储单元读出性能的影响，而在电子擦除时使用比电子注入时更强的外部电场，提高了数据写入的速度。

主权项

一种CMOS非易失存储器单元电路，其特征在于，所述电路由五个PMOS晶体管PM₁（11）~PM₅（15）和一个电容C₁（10）组成四个信号输入端口和两个信号输出端口；四个信号输入端口为CTR、T、W、EN，两个信号输出端口为OUT₁和OUT₂；两个PMOS晶体管PM₁（11）和PM₂（12）的栅极和电容C₁（10）的一个端口连接在一起，形成一个浮空的电荷存储节点F（16）；电容C₁（10）的另一端口与信号输入端口CTR相连，晶体管PM₁（11）的源端、漏端和衬底连接在一起并与信号输入端口T相连，晶体管PM₂（12）的源端和衬底与信号输入端口W相连，晶体管PM₂（12）的漏端与晶体管PM₄（14）的源端相连；晶体管PM₃（13）的栅极接地，在数据读出时作为参考晶体管使用，晶体管PM4（14）和PM₅（15）的栅极与端口EN相连，作为开关用于控制存储单元数据的输出；晶体管PM₃（13）的源端和衬底与信号输入端口W相连，漏端与晶体管PM₅（15）的源端相连，其中晶体管PM₂ （12）~PM₅（15）的衬底均连接在一起，并与信号输入端口W相连，晶体管PM₄（14）和PM₅（15）的漏端分别与信号输出端口OUT1和OUT2相连。