一种低栅‑漏电荷的沟槽功率MOS器件

摘要

本实用新型属于半导体功率器件技术领域，具体涉及到一种低栅‑漏电荷的沟槽功率MOS器件，包括第一导电类型漏极区，位于所述第一导电类型漏极区上方的第一导电类型的外延层，位于所述第一导电类型外延层上方的第二导电类型阱区层，还包括：沟槽；栅氧化层；多晶硅层；第二栅氧化层；源极区层；绝缘介质层；金属层；其中，所述第二栅氧化层的填充深度大于或者等于所述第二沟槽的深度。本实用新型通过改进沟槽内部导电多晶硅和栅氧化层结构，使得器件结构的栅氧电荷Qgd比普通的沟槽栅MOSFET大大降低，从而进一步改善了器件的高频特性和开关特性。

主权项

一种低栅‑漏电荷的沟槽功率MOS器件，包括第一导电类型漏极区，位于所述第一导电类型漏极区上方的第一导电类型的外延层，位于所述第一导电类型外延层上方的第二导电类型阱区层，其特征在于，还包括：沟槽，其穿过所述第二导电类型阱区层，延伸至所述第一导电类型外延层的内部，所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽；栅氧化层，其与所述沟槽的内侧面和底端接触，形成栅氧化层侧面端部和栅氧化层底端部；多晶硅层，一部分多晶硅层与位于所述第二沟槽内部的所述栅氧化层侧面端部接触，形成多晶硅层侧面端部；所述第一沟槽内部的栅氧化层侧面端部和栅氧化层底端部围成第一空间，另一部分多晶硅层填充于第一空间内；第二栅氧化层，其填充于所述第二沟槽内部的多晶硅层侧面端部及栅氧化层底端部围成的第二空间内，所述第二栅氧化层与位于所述第二沟槽内部的栅氧化层底端部连接；源极区层，其位于所述第二导电类型阱区层上部，且位于所述第二沟槽的顶部四周；绝缘介质层，其位于所述源极区层及所述第一沟槽顶部的上方，所述绝缘介质层上开设接触孔，所述接触孔穿过所述绝缘介质层，延伸至所述第二导电类型阱区层；金属区层，其位于所述绝缘介质层的上方，所述接触孔内设置有金属；其中，所述第二栅氧化层的填充深度大于或者等于所述第二沟槽的深度。