半导体装置和非易失性存储装置

摘要

公开了半导体装置和非易失性存储装置。垂直NAND型存储装置包括在下面的基底上按交替的顺序布置的栅极间绝缘层和栅电极的垂直堆叠，所述基底包括在其中的单元阵列区和接触区。提供了至少一个NAND型沟道结构，所述NAND型沟道结构穿过栅极间绝缘层和栅电极的垂直堆叠垂直地延伸。栅电极中的在接触区的至少一部分上横向地延伸的一个第一栅电极的端部侧壁的垂直斜率不如在所述一个第一栅电极与基底之间延伸的多个第一栅电极的端部侧壁的垂直斜率陡峭。

主权项

一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一区和沿着一个方向与第一区分隔开的第二区；第一堆叠结构，包括交替地并重复地堆叠在基底上的第一绝缘层和第一栅电极；以及沟道结构，在第一区的基底上设置的第一堆叠结构中垂直地延伸，其中，第一堆叠结构具有在第二区的基底上的阶梯式结构，其中，第二区的第一栅电极中的至少一个第一栅电极的端部包括第一侧壁，以及其中，第二区的第一栅电极中的其它第一栅电极中的每个的端部具有第二侧壁，第二侧壁具有比第一侧壁陡峭的斜率。