发明名称 |
制造绝缘层的方法、制造含绝缘层的有机光电子器件的方法和含绝缘层的有机光电子器件 |
摘要 |
提出一种用于制造绝缘层的方法。所述方法包括下列方法步骤:A)提供前体,所述前体包括第一成分、第二成分和第三成分的混合物,其中‑第一成分包括通式IA的化合物,其中R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>彼此独立地选自:氢和烷基残基并且n=1至10000;第二成分包括通式IIA的化合物,其中R<sup>3</sup>代表烷基残基,并且第三成分包括至少一种胺类化合物;B)将前体施加到衬底上;C)硬化前体来形成绝缘层。 |
申请公布号 |
CN106575544A |
申请公布日期 |
2017.04.19 |
申请号 |
CN201580026365.4 |
申请日期 |
2015.04.15 |
申请人 |
欧司朗OLED股份有限公司 |
发明人 |
迈克尔·波普;安德鲁·英格尔;克里斯托夫·凯费斯;约翰内斯·罗森伯格;斯特凡·德尚;埃格伯特·赫夫林;本杰明·克劳斯·克鲁马赫尔 |
分类号 |
H01B3/40(2006.01)I;C08K5/101(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)N |
主分类号 |
H01B3/40(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
丁永凡;李建航 |
主权项 |
一种用于制造绝缘层(6a,6b,6c)的方法,所述方法具有如下方法步骤:A)通过混合第一成分、第二成分和第三成分提供前体,其中‑所述第一成分包括通式IA的化合物<img file="FDA0001153120110000011.GIF" wi="1374" he="375" />其中R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>彼此独立地选自:氢和烷基残基,并且n=1至10000;‑所述第二成分包括通式IIA的化合物<img file="FDA0001153120110000012.GIF" wi="350" he="244" />其中R<sup>3</sup>代表烷基残基,并且‑所述第三成分包括至少一种胺类化合物B)将所述前体施加到衬底上;C)硬化所述前体来形成所述绝缘层。 |
地址 |
德国雷根斯堡 |