发明名称 一种磁控溅射镀光学膜膜厚监控方法
摘要 本发明涉及一种磁控溅射镀光学膜膜厚监控方法,该方法包括如下步骤:①设计一种特定膜系,该膜系主要用于对磁控溅射镀膜沉积速率的监控;②在一定工艺条件下,利用磁控溅射沉积该特定膜系,通过镀膜过程中监控镀膜沉积速率,或镀膜完成后测试、计算该沉积速率;③采用与②相同工艺条件,将②中的沉积速率换算后采用时间或圈数监控膜厚,实现最终膜系的制备。本发明的制作方法利用光学方法监控沉积速率,时间、圈数或类似方法监控膜层厚度,可摆脱光学监控对光源波长、单层光谱变化值等限制。
申请公布号 CN103673905B 申请公布日期 2017.04.12
申请号 CN201310749608.X 申请日期 2013.12.31
申请人 合波光电通信科技有限公司 发明人 程春生;张钦廉;曹嘉寰;符东浩
分类号 G01B11/06(2006.01)I;G02B1/10(2015.01)I 主分类号 G01B11/06(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 徐伟奇
主权项 一种磁控溅射镀光学膜膜厚监控方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:① 设计一种预定膜系,该预定膜系主要用于对磁控溅射镀膜沉积速率的监控;② 开启磁控溅射设备,通过反复调试磁控溅射设备的工艺参数,利用磁控溅射沉积该预定膜系,并利用自带的光学监控模块测定镀膜过程中的沉积速率;或者在镀膜完成后测试、计算镀膜过程中的沉积速率,一种情况是直接测膜厚,或者一种情况是通过光学透过率计算膜厚,利用膜厚除以沉积时间或圈数即为计算出的沉积速率;③ 采用与步骤②相同的工艺参数,将步骤②中的沉积速率换算成为易于直观看出的包括时间和圈数在内的参数;④ 采用步骤③获得的包括时间和圈数在内的参数来进行后续磁控溅射镀膜中膜厚的监控,实现最终膜系的制备。
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