发明名称 |
基于自组装纳米颗粒的RFID标签 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体器件,其包括:栅电极;与栅电极连接的绝缘层;源极和漏极;以及根据栅电极上的电压,选择性地允许源极和漏极之间电连接的半导体沟道层;其中所述半导体沟道层包含金属纳米颗粒;且所述半导体沟道层与所述源极、漏极和绝缘层接触。本发明还公开了一种制造半导体器件的方法。 |
申请公布号 |
CN103928531B |
申请公布日期 |
2017.04.12 |
申请号 |
CN201410013653.3 |
申请日期 |
2014.01.10 |
申请人 |
纳米及先进材料研发院有限公司 |
发明人 |
华礼生;周晔;韩素婷;许宗祥 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
张晶;刘成春 |
主权项 |
一种半导体器件,包含:a)栅电极;b)绝缘层,与所述栅电极连接;c)源极和漏极;以及d)半导体沟道层,配置为根据所述栅电极上的电压选择性地允许所述源极和所述漏极之间电连接;其中所述半导体沟道层包含金属纳米颗粒和金属氧化物纳米颗粒;且所述半导体沟道层与所述源极、所述漏极和所述绝缘层接触;其中所述金属纳米颗粒选自Au、Ag、Pd、Pt及其任意组合;其中所述金属氧化物纳米颗粒选自ZnO和CuO;其中所述金属纳米颗粒和金属氧化物纳米颗粒经历自组装形成2D纳米颗粒单层。 |
地址 |
中国香港新界沙田,香港科学园科技大道西8号,尚湖楼5楼515-516室 |