发明名称 | 数据储存装置与闪存操作方法 | ||
摘要 | 数据储存装置以及闪存操作方法。所揭露的数据储存装置包括一闪存以及一控制器。该闪存包括一储存空间,其中存有第一储存式系统信息以及第二储存式系统信息。第二储存式系统信息的数据态样判别较第一储存式系统信息宽松。该控制器用于读取该闪存的该储存空间、并对读取到的数据执行一错误检查与校正程序。该控制器系根据上述第一与第二储存式系统信息中先行通过该错误检查与校正程序者操作该闪存。 | ||
申请公布号 | CN103530198B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
申请号 | CN201210298530.X | 申请日期 | 2012.08.21 |
申请人 | 慧荣科技股份有限公司 | 发明人 | 萧力硕 |
分类号 | G06F11/07(2006.01)I | 主分类号 | G06F11/07(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 胡林岭 |
主权项 | 一种数据储存装置,包括:一闪存,包括一储存空间存有一第一储存式系统信息以及一第二储存式系统信息,上述第二储存式系统信息的数据态样判别较上述第一储存式系统信息宽松;以及耦接该闪存的一控制器,用以读取该闪存的该储存空间、并对读取到的数据执行一错误检查与校正程序,以根据上述第一与第二储存式系统信息中先行通过该错误检查与校正程序者操作该闪存;其中:该闪存更包括一读写电路;该读写电路提供一多阶储存操作,系以一强写入以及一弱写入两阶段程序化一储存单元储存多位元数据;且该读写电路更提供一单阶储存操作程序化一储存单元储存单位元数据;其中:上述第一储存式系统信息系经该读写电路的上述多阶储存操作的该强写入储存至该储存空间;且上述第二储存式系统信息系经该读写电路的该单阶储存操作储存至该储存空间。 | ||
地址 | 中国台湾新竹县竹北市台元街36号8楼之1 |