发明名称 发光二极管装置及其制作方法
摘要 本发明提出一种发光二极管装置,包括基板、第一发光二极管、第二发光二极管、绝缘层、导线层、反射层、第一接垫以及第二接垫。第一发光二极管设置于基板上且包括第一电极以及第一发光区域。第二发光二极管设置于基板上并与第一发光二极管之间具有间隙。第二发光二极管包括第二电极以及第二发光区域。导线层电性连接第一及第二发光二极管。反射层位于第一发光区域与第一接垫间及第二发光区域与第二接垫间。绝缘层填充于间隙中并位于导线层与反射层之间。绝缘层接触第一及第二发光二极管。第一接垫以及第二接垫分别设置于第一电极以及第二电极上。
申请公布号 CN104112815B 申请公布日期 2017.04.12
申请号 CN201310135146.2 申请日期 2013.04.18
申请人 亿光电子工业股份有限公司 发明人 叶寅夫;林治民;康桀侑
分类号 H01L33/62(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I 主分类号 H01L33/62(2010.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 骆希聪
主权项 一种发光二极管装置,包括:一基板,具有一表面;一第一发光二极管,设置于该表面上,该第一发光二极管包括一第一电极以及一第一发光区域;一第二发光二极管,设置于该表面上并与该第一发光二极管之间具有一间隙,该第二发光二极管包括一第二电极以及一第二发光区域;一导线层,设置于该间隙内且电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管;一第一接垫以及一第二接垫,分别设置于该第一电极以及该第二电极上并与该第一电极以及该第二电极电性连接;以及一反射层,连续地设置于该第一发光二极管及该第二发光二极管上,且位于该第一发光区域与该第一接垫之间以及该第二发光区域与该第二接垫之间。
地址 中国台湾新北市树林区中华路6之8号