具有沟槽结构的半导体器件

摘要

本发明涉及具有沟槽结构的半导体器件。半导体器件的半导体本体包括第一导电类型的掺杂层以及一个或更多个第二导电类型的掺杂区域。一个或更多个掺杂区域在掺杂层和半导体本体的第一表面之间形成。沟槽结构从第一和第二相对表面中的一个延伸到半导体本体中。沟槽结构被布置在半导体本体的彼此电连接的部分之间。沟槽结构可以被布置用于减轻机械应力，局部控制电荷载流子迁移率，局部控制电荷载流子复合率和/或对埋入的扩散区域整形。

主权项

一种半导体二极管，包括：半导体本体，包括：第一导电类型的掺杂层；第二导电类型的掺杂区域，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，其中所述掺杂区域在所述掺杂层和所述半导体本体的第一表面之间形成；以及沟槽结构，其从所述半导体本体的所述第一表面和第二相对表面中的一个延伸到所述半导体本体中，所述沟槽结构被布置在所述半导体本体的电连接的部分之间，其中所述第二相对表面与所述第一表面相对，其中所述半导体二极管包括分别位于所述沟槽结构的底部的复合结构，所述复合结构直接邻接所述掺杂区域。