发明名称 | 电子器件用的接合构造和电子器件 | ||
摘要 | 本发明的目的在于提供一种具有优异的接合强度的电子器件用的接合构造。本发明的一个侧面所涉及的电子器件用的接合构造(10)具备包含镍的第1金属层(11)、以及形成在第1金属层(11)之上且包含金、锡和镍的第2金属层(12),第2金属层(12)包含AuSn共晶相。 | ||
申请公布号 | CN104070294B | 申请公布日期 | 2017.04.12 |
申请号 | CN201410123211.4 | 申请日期 | 2014.03.28 |
申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 吉田健一;堀川雄平;阿部寿之 |
分类号 | B23K33/00(2006.01)I | 主分类号 | B23K33/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 杨琦 |
主权项 | 一种电子器件用的接合构造,其特征在于:具备:第1金属层,其包含镍;以及第2金属层,其形成在所述第1金属层之上,并包含金、锡和镍,所述第2金属层包含AuSn共晶相,在所述第2金属层中的位于所述第1金属层一侧的部分是包含AuSnNi合金相的AuSnNi合金层,所述AuSnNi合金相抵接于所述第1金属层的表面。 | ||
地址 | 日本东京都 |