发明名称 一种窗口气密无硅胶的半导体发光芯片封装结构
摘要 本实用新型提供一种窗口气密无硅胶的半导体发光芯片封装结构,包括阶梯状的基座,基座最底层的第三阶梯,其中部为固晶区,固晶区两侧分别设有一个正极焊线区和负极焊线区,固晶区内镶有银块,银块上设有助焊剂,助焊剂上设有半导体发光芯片,半导体发光芯片的两端分别为正电极和负电级,正电极和负电级分别与正极焊线区和负极焊线区焊接金线导通,正极焊线区和负极焊线区分别穿孔填银浆,正极焊线区、负极焊线区和固晶区背面分别为正极焊盘区、负极焊盘区和热沉区,基座的第二级阶梯设有无助焊预成型焊片,无助焊预成型焊片上覆有可焊接金属层,金属层上设有金属化透明无机材料制成的玻璃,正极焊盘区、负极焊盘区、热沉区和第二阶梯布满银线路。
申请公布号 CN206098442U 申请公布日期 2017.04.12
申请号 CN201620448269.0 申请日期 2016.05.17
申请人 陈秋胜 发明人 陈秋胜;詹勋县
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/56(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种窗口气密无硅胶的半导体发光芯片封装结构,其特征在于:包括阶梯状的基座,基座最底层的第三阶梯,其中部为固晶区,固晶区两侧分别设有一个正极焊线区和负极焊线区,固晶区内镶有银块,银块上设有助焊剂,助焊剂上设有半导体发光芯片,半导体发光芯片的两端分别为正电极和负电级,正电极和负电级分别与正极焊线区和负极焊线区焊接金线导通,正极焊线区和负极焊线区分别穿孔填银浆,正极焊线区、负极焊线区和固晶区背面分别为正极焊盘区、负极焊盘区和热沉区,基座的第二级阶梯设有无助焊预成型焊片,无助焊预成型焊片上覆有可焊接金属层,金属层上设有金属化透明无机材料制成的玻璃,正极焊盘区、负极焊盘区、热沉区和第二阶梯布满银线路。
地址 333400 江西省景德镇市浮梁县浮梁镇城北街218号