发明名称 一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法
摘要 本发明涉及一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法,包括:(1)制作抛光盘,其中,将纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物加热,纯光学沥青的纯度范围为95%‑100%,纯光学沥青与蜂蜡的重量比范围为1:1‑1:3,纯光学沥青与石蜡的重量比范围为1:3‑1:5;(2)配制抛光液,将钻石粉与有机溶剂混合均匀,钻石粉与有机溶剂的质量比范围为1:200—1:300,即得抛光液;(3)抛光。抛光后的磷酸二氘钾晶体,平行度优于10秒,平面度优于λ/10@633nm,波前畸变优于λ/8@633nm,表面质量优于20/10,使用温度范围为‑40~+50℃,达到了高性能激光系统的使用要求。
申请公布号 CN104589194B 申请公布日期 2017.04.05
申请号 CN201510043754.X 申请日期 2015.01.28
申请人 山东阳谷恒晶光电有限公司 发明人 李光烈;刘学勇
分类号 B24B29/02(2006.01)I;B24B7/22(2006.01)I;B24B49/12(2006.01)I;B24D18/00(2006.01)I;B08B3/04(2006.01)I 主分类号 B24B29/02(2006.01)I
代理机构 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人 吕利敏
主权项 一种磷酸二氘钾晶体的抛光方法,其特征在于,具体步骤包括:对磷酸二氘钾晶体进行磨砂:利用石蜡或者石蜡、松香混合胶将磷酸二氘钾晶体粘结在KDP套圈的中心,在砂纸上进行磨砂;(1)制作抛光盘a、将纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物加热,纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物完全溶化时搅拌均匀,纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物表面沸腾时停止加热;其中,纯光学沥青的纯度范围为95%‑100%,纯光学沥青与蜂蜡的重量比范围为1:1‑1:3,纯光学沥青与石蜡的重量比范围为1:3‑1:5;b、将步骤(a)得到的纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物倒入平盘中,自然冷却至室温;c、将步骤(b)得到的载有纯光学沥青与蜂蜡或石蜡的混合物的平盘在60‑80℃条件下预热10‑30min;d、利用平板将步骤(c)预热后得到的纯光学沥青与蜂蜡的混合物在平盘上压平,冷却至室温,去除平板,即得抛光盘;(2)配制抛光液将钻石粉与有机溶剂混合均匀,钻石粉与有机溶剂的质量比范围为1:200—1:300;即得抛光液;(3)抛光取将步骤(2)得到的抛光液2‑5滴,滴在步骤(1)得到的抛光盘上,在温度为25‑28℃、湿度≤40%条件下,转速为1‑40转/min的抛光盘对磷酸二氘钾晶体进行抛光,在抛光过程中检验磷酸二氘钾晶体抛光表面平行差、平面度、表面质量,使磷酸二氘钾晶体抛光表面平行差<10”,磷酸二氘钾晶体抛光表面平面度优于λ/10,磷酸二氘钾晶体抛光表面表面质量优于20/10;(4)去除磷酸二氘钾晶体表面污物、镀膜去除步骤(3)抛光后得到的磷酸二氘钾晶体表面污物,镀膜,即得;去除磷酸二氘钾晶体表面污物,具体步骤包括:e、利用功率为250W的红外灯对经过步骤(3)得到的磷酸二氘钾晶体加热,直至石蜡或者石蜡、松香混合胶溶化,将磷酸二氘钾晶体冷却至室温;f、将磷酸二氘钾晶体放入培养皿,向培养皿加入分析纯试剂至淹没磷酸二氘钾晶体,将磷酸二氘钾晶体浸泡1小时,用高级脱脂棉或无尘软布将磷酸二氘钾晶体表面的污物擦去;g、利用分析纯试剂对磷酸二氘钾晶体进行第二次浸泡,浸泡时间为30分钟,用高级脱脂棉或 无尘软布蘸取分析纯乙酸乙酯试剂多次擦拭磷酸二氘钾晶体表面,直至磷酸二氘钾晶体两抛光面无任何污物;所述分析纯试剂为分析纯乙酸乙酯试剂、分析纯乙酸丙酯试剂、分析纯乙酸丁酯试剂的任一种。
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