发明名称 |
高增益低噪声放大器 |
摘要 |
本实用新型涉及一种高增益低噪声放大器,其特征是:包括差分形式的2对互补结构放大器;放大器输入端通过交流耦合电容连接一极互补放大器NMOS和PMOS放大管的栅极,同时连接另一极放大器NMOS和PMOS放大管的源极。NMOS放大管和PMOS放大管的漏极连接,作为放大器一个输出端,栅极分别连接两个输入耦合电容,输入耦合电容的另一极板连接在一起,作为放大器的一个输入端。NMOS放大管源极接偏置尾电流,PMOS放大管源极接偏置PMOS管,该偏置管栅极电压由共模反馈电路输出提供,NMOS放大管和PMOS放大管的源极分别连接两个输入耦合电容,这两个电容的另一极连接在一起,作为放大器的另一输入端。本实用新型所述低噪声放大器能够有效增强增益,易于实现输入匹配。 |
申请公布号 |
CN206077339U |
申请公布日期 |
2017.04.05 |
申请号 |
CN201621085521.2 |
申请日期 |
2016.09.27 |
申请人 |
无锡中科微电子工业技术研究院有限责任公司 |
发明人 |
黄伟;潘文光;于云丰;肖时茂;尹喜珍 |
分类号 |
H03F1/26(2006.01)I;H04B1/16(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/26(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 |
代理人 |
殷红梅;刘海 |
主权项 |
一种高增益低噪声放大器,其特征是:包括差分形式的对互补结构的第一对放大器和第二对放大器,第一对放大器包括第一放大管NM1和第二放大管NM2,第二对放大器包括第三放大管PM1和第四放大管PM2;所述低噪声放大器的输入端VIP通过输入耦合电容连接第一放大管NM1、第三放大管PM1的栅极以及第二放大管NM2、第四放大管PM2的源极,所述低噪声放大器的输入端VIN通过输入耦合电容连接第一放大管NM1、第三放大管PM1的源极以及第二放大管NM2、第四放大管PM2的栅极;所述第一放大管NM1漏极和第三放大管PM1漏极连接,作为输出端VON;所述第二放大管NM2漏极和第四放大管PM2漏极连接,作为输出端VOP;所述第一放大管NM1的源极连接第一偏置电流IB1,第二放大管NM2的源极连接第二偏置电流IB2;所述第三放大管PM1的源极连接第一电流镜PM3的漏极,第四放大管PM2的源极连接第二电流镜PM4的漏极。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座9楼 |