发明名称 | 三维有序大孔-介孔石墨烯及其制备方法和应用 | ||
摘要 | 本发明涉及三维有序大孔‑介孔石墨烯及其制备方法和应用,制备方法包括以下步骤:(1)将有序堆积的有机高分子模板球浸入到陶瓷的前驱体溶液中,分离、干燥后进行热处理,制得有机高分子模板球/陶瓷复合物;(2)将制得的有机高分子模板球/陶瓷复合物中的有机高分子模板球去除,制得三维多孔陶瓷;(3)用化学气相沉积法在制得的三维多孔陶瓷衬底上生长石墨烯,得到生长有石墨烯的三维陶瓷复合材料;(4)将生长有石墨烯的三维陶瓷复合材料放入刻蚀液中,去除陶瓷模板、干燥,即得到所述三维有序大孔‑介孔石墨烯。本发明工艺简单,成本低廉,可控性强,重复性好,易于实现大规模生产。 | ||
申请公布号 | CN106554011A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
申请号 | CN201510608563.3 | 申请日期 | 2015.09.22 |
申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 许峰;黄富强 |
分类号 | C01B32/186(2017.01)I | 主分类号 | C01B32/186(2017.01)I |
代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
主权项 | 一种制备三维有序大孔‑介孔石墨烯的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将有序堆积的有机高分子模板球浸入到陶瓷的前驱体溶液中,分离、干燥后进行热处理,制得有机高分子模板球/陶瓷复合物;(2)将制得的有机高分子模板球/陶瓷复合物中的有机高分子模板球去除,制得三维多孔陶瓷;(3)用化学气相沉积法在制得的三维多孔陶瓷衬底上生长石墨烯,得到生长有石墨烯的三维陶瓷复合材料;(4)将生长有石墨烯的三维陶瓷复合材料放入刻蚀液中,去除陶瓷模板、干燥,即得到所述三维有序大孔‑介孔石墨烯。 | ||
地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 |