| 发明名称 | 监控AR工艺中套准偏移的WAT测试结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种监控AR工艺中套准偏移的WAT测试结构，所述WAT测试结构包括多个测试链，每个所述测试链均包括多个测试单元及金属层，每个测试单元包括底层的多晶硅层和设置于所述多晶硅层两端表面的连接通孔；所述金属层位于所述连接通孔顶部，所述测试单元通过所述金属层依次串接；多个所述测试链通过所述金属层依次首尾相连，形成链式的WAT测试结构。本实用新型可以检查晶圆在AR工艺中的套准偏移问题，同时也可以判断出是X方向还是Y方向的偏移。 | ||
| 申请公布号 | CN206076226U | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201621094197.0 | 申请日期 | 2016.09.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 夏禹 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 王华英 |
| 主权项 | 一种监控AR工艺中套准偏移的WAT测试结构，其特征在于，所述WAT测试结构包括多个测试链，每个所述测试链均包括多个测试单元及金属层，每个测试单元包括底层的多晶硅层和设置于所述多晶硅层两端表面的连接通孔；所述金属层位于所述连接通孔顶部，所述测试单元通过所述金属层依次串接；多个所述测试链通过所述金属层依次首尾相连，形成链式的WAT测试结构。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||