成长低应力IGBT沟槽型栅极的方法

摘要

本发明公开了一种成长低应力IGBT沟槽型栅极的方法，包括：1）在硅片的正面和背面上，分别沉积保护膜；2）在硅片背面进行第一沟槽刻蚀；3）在硅片背面沉积第一沟槽封口膜；4）在硅片正面进行第二沟槽刻蚀；5）在硅片正面沉积第二沟槽封口膜；6）去除硅片背面的第一沟槽封口膜和保护膜，以及去除硅片正面的第二沟槽封口膜和保护膜；7）在硅片的沟槽侧壁和底部以及硅片表面成长栅极氧化层，并在栅极氧化层表面沉积多晶硅，填充满沟槽，从而形成IGBT沟槽型栅极。本发明能改善硅片翘曲度，形成低应力IGBT沟槽型栅极，避免工艺流程中的传送问题。

主权项

一种成长IGBT沟槽型栅极的方法，其特征在于，包括步骤：1)在硅片的正面和背面上，分别沉积保护膜；2)翻转硅片，使得硅片背面朝上，在硅片背面进行第一沟槽刻蚀；3)在硅片背面沉积第一沟槽封口膜，使步骤2)刻蚀的第一沟槽被封口；4)翻转硅片，使得硅片正面朝上，在硅片正面进行第二沟槽刻蚀；5)在硅片正面沉积第二沟槽封口膜，使步骤4)刻蚀的第二沟槽被封口；6)去除硅片背面的第一沟槽封口膜和保护膜，以及去除硅片正面的第二沟槽封口膜和保护膜；7)在硅片的所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁和底部以及硅片表面成长栅极氧化层，并在栅极氧化层表面沉积多晶硅，填充满所述第一沟槽和所述第二沟槽，从而形成IGBT沟槽型栅极。