| 发明名称 | 一种膜层的刻蚀方法和GaN基LED的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种膜层的刻蚀方法和GaN基LED的制作方法，涉及半导体技术领域，能够有效避免刻蚀造成的N型掺杂GaN层的粗糙度的减小，且保证N型掺杂GaN层的性能。该膜层的刻蚀方法包括：强轰击刻蚀步骤和常规刻蚀步骤，所述强轰击刻蚀步骤中刻蚀气体中粒子的自由程小于所述常规刻蚀步骤中刻蚀气体中粒子的自由程，和/或，所述强轰击刻蚀步骤中刻蚀气体中粒子的轰击能量高于所述常规刻蚀步骤中刻蚀气体中粒子的轰击能量。本发明应用于制作GaN基LED。 | ||
| 申请公布号 | CN106548934A | 申请公布日期 | 2017.03.29 |
| 申请号 | CN201510614153.X | 申请日期 | 2015.09.23 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 刘海鹰 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种膜层的刻蚀方法，所述膜层的表面具有尖端和低谷，其特征在于，所述膜层的刻蚀方法包括：强轰击刻蚀步骤和常规刻蚀步骤，所述强轰击刻蚀步骤中刻蚀气体中粒子的自由程小于所述常规刻蚀步骤中刻蚀气体中粒子的自由程，和/或，所述强轰击刻蚀步骤中刻蚀气体中粒子的轰击能量高于所述常规刻蚀步骤中刻蚀气体中粒子的轰击能量。 | ||
| 地址 | 100026 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼 | ||