| 发明名称 | EEPROM存储单元的操作方法 | ||
| 摘要 | 一种EEPROM存储单元的操作方法。所述EEPROM存储单元包括中间电极、主存储位以及次存储位，所述主存储位包括第一扩散区和第一控制栅极，所述次存储位包括第二扩散区和第二控制栅极；所述EEPROM存储单元的操作方法包括：对所述EEPROM存储单元进行读取操作时，施加第一读取电压至所述中间电极，施加第二读取电压至所述第一控制栅极，施加第三读取电压至所述第二控制栅极和所述第一扩散区，将所述第二扩散区与读取电路连接。本发明提供的EEPROM存储单元的操作方法，提高了所述EEPROM存储单元的耐久性。 | ||
| 申请公布号 | CN103811055B | 申请公布日期 | 2017.03.29 |
| 申请号 | CN201410084269.2 | 申请日期 | 2014.03.07 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 杨光军;胡剑 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种EEPROM存储单元的操作方法，所述EEPROM存储单元包括中间电极、主存储位以及次存储位，所述主存储位包括第一扩散区和第一控制栅极，所述次存储位包括第二扩散区和第二控制栅极；其特征在于，所述EEPROM存储单元的操作方法包括：对所述EEPROM存储单元进行读取操作时，施加第一读取电压至所述中间电极，施加第二读取电压至所述第一控制栅极，施加第三读取电压至所述第二控制栅极和所述第一扩散区，将所述第二扩散区与读取电路连接，所述第三读取电压为EEPROM的电源电压。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||