| 摘要 |
Le procédé comprend : Fournir un empilement comportant - un substrat support (1), - des multi-jonctions (2) comportant une première couche dopée (7) en face avant et une deuxième couche dopée (3) en face arrière - une couche métallique arrière (4) sur la deuxième couche dopée (3), Former une pluralité de vias Former une couche électriquement isolante (9) sur la face arrière et les vias, Former une couche métallique avant (8) sur la couche électriquement isolante (9), Fournir un substrat récepteur (200) comprenant première piste métallique (6) et une deuxième piste métallique (6') Connecter électriquement la couche métallique avant (8) couche métallique arrière (4) aux pistes métalliques (6,6') par l'intermédiaire de couches de collage conductrice (5,5'), Retirer le substrat support (1), Former des plots métalliques (12) à l'aplomb des vias en continuité de la couche métallique avant (8) et Former des motifs dopés recouverts par les plots (12), par retrait partiel de régions de la première couche dopée (7). |
