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发明名称
半導体装置
摘要
【課題】トランジスタの占有面積を低減する。【解決手段】この半導体装置は、基板上に基板の上面と交差する第1の方向に配列された複数の第1導電層を備える。階段状配線部は、第1導電層の端部の位置を互いに異ならせている。更にこの半導体装置は、階段状配線部に電気的に接続されるトランジスタを備える。そのトランジスタは、第1の方向を長手方向として延びるチャネル層と、チャネル層の周囲に配置されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の周囲に配置されたゲート電極層とを備える。【選択図】図6
申请公布号
JP2017059607(A)
申请公布日期
2017.03.23
申请号
JP20150181381
申请日期
2015.09.15
申请人
株式会社東芝
发明人
池田 圭司;佐久間 究;齋籐 真澄
分类号
H01L27/115;H01L21/336;H01L27/10;H01L29/788;H01L29/792
主分类号
H01L27/115
代理机构
代理人
主权项
地址
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