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发明名称
半導体装置および半導体装置の製造方法
摘要
【課題】半導体装置の特性劣化を抑制し、良好な特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置のソース電極8は、第1Ti膜21、第2TiN膜22、第2Ti膜23、Al−Si膜24が順に積層された構造を有する、または、半導体装置のソース電極8は、第1TiN膜20、第1Ti膜21、第2TiN膜22、第2Ti膜23、Al−Si膜24が順に積層された構造を有する。また、半導体装置の第2の保護膜17は、ポリアミド膜である。【選択図】図1
申请公布号
JP2017059720(A)
申请公布日期
2017.03.23
申请号
JP20150184248
申请日期
2015.09.17
申请人
富士電機株式会社
发明人
星 保幸;原田 祐一;椎木 崇
分类号
H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/417
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
主权项
地址
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