发明名称 半導体装置および半導体装置の製造方法
摘要 【課題】半導体装置の特性劣化を抑制し、良好な特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置のソース電極8は、第1Ti膜21、第2TiN膜22、第2Ti膜23、Al−Si膜24が順に積層された構造を有する、または、半導体装置のソース電極8は、第1TiN膜20、第1Ti膜21、第2TiN膜22、第2Ti膜23、Al−Si膜24が順に積層された構造を有する。また、半導体装置の第2の保護膜17は、ポリアミド膜である。【選択図】図1
申请公布号 JP2017059720(A) 申请公布日期 2017.03.23
申请号 JP20150184248 申请日期 2015.09.17
申请人 富士電機株式会社 发明人 星 保幸;原田 祐一;椎木 崇
分类号 H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/417 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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