发明名称 半導体装置及びその作製方法
摘要 【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる信号処理回路。特に、短時間の電源停止により消費電力を抑えることができる信号処理回路。【解決手段】制御装置と、演算装置と、緩衝記憶装置とを有し、緩衝記憶装置は、主記憶装置から、或いは演算装置から送られてきたデータを、制御装置からの命令に従って記憶し、緩衝記憶装置は複数のメモリセルを有し、メモリセルは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタと、トランジスタを介してデータの値に従った量の電荷が供給される記憶素子とを有する信号処理回路。【選択図】図1
申请公布号 JP2017059291(A) 申请公布日期 2017.03.23
申请号 JP20160205603 申请日期 2016.10.20
申请人 株式会社半導体エネルギー研究所 发明人 黒川 義元
分类号 G11C14/00;G11C11/401;G11C11/405;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/363;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/088;H01L27/10;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 G11C14/00
代理机构 代理人
主权项
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