ドライエッチング方法、半導体素子の製造方法及びチャンバークリーニング方法

摘要

【課題】本発明の目的は、プラズマを用いないドライプロセスで、Ｐｔ等の貴金属元素を含む材料を除去できる方法を提供することである。【解決手段】フッ素又は塩素を含有する含ハロゲン物質と一酸化窒素（ＮＯ）との混合ガス、フッ化ニトロシル（ＮＯＦ）又は塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）を含む前処理ガスを、貴金属元素を含む材料と反応させ、前記材料の表面に固体化合物を形成する第１工程と、さらに、前記材料の表面の固体化合物にβ−ジケトンを反応させて、前記材料をエッチングする第２工程と、を有することを特徴とするドライエッチング方法を用いる。【選択図】図１