| 发明名称 | 一种适用于升压变换器的自适应关断时间产生电路 | ||
| 摘要 | 一种适用于升压变换器的自适应关断时间产生电路，属于电子电路技术领域。比较器正向输入端处的电压值引入真实的占空比信息，避免了负载电流对频率的影响；比较器的负向输入端连接一个固定的时钟产生器，当比较器负向输入端的电压触碰比较器正向输入端的电压时，自适应关断时间产生电路的输出信号会输出一个向上的脉冲改变开关信号，从而控制升压变换器开启。本发明引入真实的占空比信息，避免了负载电流对频率的影响，使开关频率稳定，有利于电磁干扰的处理，减少设计成本。 | ||
| 申请公布号 | CN106533411A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201710010095.9 | 申请日期 | 2017.01.06 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 明鑫;唐韵扬;高笛;魏秀凌;王卓;张波 |
| 分类号 | H03K17/687(2006.01)I;H03K17/16(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/687(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人 | 葛启函 |
| 主权项 | 一种适用于升压变换器的自适应关断时间产生电路，其特征在于，包括比较器(A<sub>0</sub>)、第一PMOS管(M<sub>1</sub>)、第二PMOS管(M<sub>2</sub>)、第一NMOS管(M<sub>3</sub>)、第一电阻(R<sub>1</sub>)、第二电阻(R<sub>2</sub>)、第一电容(C<sub>1</sub>)、第二电容(C<sub>2</sub>)、第三电容(C<sub>3</sub>)、第一电流源(I<sub>C1</sub>)、第二电流源(I<sub>C2</sub>)和反相器，第二PMOS管(M<sub>2</sub>)和第一NMOS管(M<sub>3</sub>)的栅极输入开关信号(PWM)，第一NMOS管(M<sub>3</sub>)的漏极接第一电流源(I<sub>C1</sub>)、第三电容(C<sub>3</sub>)的一端和比较器(A<sub>0</sub>)的负向输入端，其源极接第三电容(C<sub>3</sub>)的另一端并接地；第二电流源(I<sub>C2</sub>)接第一PMOS管(M<sub>1</sub>)和第二PMOS管(M<sub>2</sub>)的源极，第一PMOS管(M<sub>1</sub>)的栅极接基准电压(Vref)，其漏极接地，第二PMOS管(M<sub>2</sub>)的漏极通过第一电阻(R<sub>1</sub>)和第一电容(C<sub>1</sub>)的并联结构后接地；第二电阻(R<sub>2</sub>)接在比较器(A<sub>0</sub>)的正向输入端和第二PMOS管(M<sub>2</sub>)的漏极之间，第二电容(C<sub>2</sub>)接在比较器(A<sub>0</sub>)正向输入端和地之间；反相器的输入端接比较器(A<sub>0</sub>)的输出端，其输出端输出所述自适应关断时间产生电路的输出信号(TOFF‑FLAG)。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||