| 发明名称 | 半导体装置及其驱动方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供一种能够提高电流的控制性的半导体装置及其驱动方法。实施方式的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；第2导电型的第2半导体层；第1导电型的第3半导体层；第2导电型的第4半导体层；第1电极，连接于所述第2半导体层及所述第4半导体层；第2电极，隔着绝缘膜与所述第2半导体层相邻；第2导电型的第5半导体层；第1导电型的第6半导体层；第2导电型的第7半导体层；第3电极，连接于所述第5半导体层及所述第7半导体层；以及第4电极，隔着绝缘膜与所述第5半导体层相邻。 | ||
| 申请公布号 | CN106531800A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201610098898.X | 申请日期 | 2016.02.23 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 北川光彦 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于具备：第1导电型的第1半导体层；第2导电型的第2半导体层，设置在所述第1半导体层上；第3半导体层，设置在所述第2半导体层上，为第1导电型，且载流子浓度高于所述第1半导体层的载流子浓度；第4半导体层，设置在所述第2半导体层上，为第2导电型，且载流子浓度高于所述第2半导体层的载流子浓度；第1电极，连接于所述第2半导体层及所述第4半导体层；第2电极，隔着绝缘膜与所述第2半导体层相邻；第2导电型的第5半导体层，设置在所述第1半导体层之下；第6半导体层，设置在所述第5半导体层之下，为第1导电型，且载流子浓度高于所述第1半导体层的载流子浓度；第7半导体层，设置在所述第5半导体层之下，为第2导电型，且载流子浓度高于所述第5半导体层的载流子浓度；第3电极，连接于所述第5半导体层及所述第7半导体层；以及第4电极，隔着绝缘膜与所述第5半导体层相邻。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||