| 发明名称 | 离子注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种离子注入方法，用于向半导体衬底注入掺杂离子，该方法为在向所述半导体衬底注入掺杂离子时，控制离子束入射方向在一定角度范围内变化。本发明提出的离子注入方法，通过控制离子注入方向在一定角度范围内变化，使得离子从不同角度注入到半导体衬底中，从而克服由于阴影效应导致无法形成均匀的离子注入/共形掺杂的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN106531616A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201510574381.9 | 申请日期 | 2015.09.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 谢欣云 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种离子注入方法，用于向半导体衬底注入掺杂离子，其特征在于，在向所述半导体衬底注入掺杂离子时，控制离子束入射方向在一定角度范围内变化。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||