| 发明名称 | 源漏极离子注入的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了源漏极离子注入的方法：对晶圆上的源漏极区域依次进行第一次离子注入和第二次离子注入，且第一次比第二次离子注入的更深，第一次比第二次离子注入的浓度小；然后，使用碳离子对源漏极区域进行离子注入，所述碳离子注入的深度介于第一次离子注入和第二次离子注入的深度之间。本发明实施例的源漏极离子注入的方法，在现有的IMP1和IMP2完成后，增加了一个碳离子注入的步骤，并控制将碳离子注入到IMP1和IMP2之间的深度，使得碳离子在退火过程中能够有效抑制IMP2层中的高浓度离子向Well中的扩散，使得最终形成的PN结较浅，PN结耗尽层向Well中的推进程度减弱，增大了有效沟道的宽度，从而提高了对MOS管短沟道效应的控制，改善了MOS管器件的工作性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101834137A | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN200910047440.1 | 申请日期 | 2009.03.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周地宝 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 宋志强;麻海明 |
| 主权项 | 一种源漏极离子注入的方法，其特征在于，该方法包括：对晶圆上的源漏极区域依次进行第一次离子注入和第二次离子注入，且第一次比第二次离子注入的更深，第一次比第二次离子注入的浓度小；然后，使用碳离子对源漏极区域进行离子注入，所述碳离子注入的深度介于第一次离子注入和第二次离子注入的深度之间。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||