发明名称 | 一种超高纯度碳纳米管导电浆料及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明属于纳米材料的制备与改性领域,具体公开了一种超高纯度碳纳米管导电浆料,其制备方法包括以下步骤,首先在硅片表面沉积一层氧化铝薄膜,接着在氧化铝薄膜上溅射铁薄膜,然后将附有铁薄膜的硅片退火,使用水辅助超级生长法获得阵列碳纳米管,最后将碳纳米管剥离,使用超声与球磨混合分散法分散于溶剂N‑甲基吡咯烷酮中,即获得所述超高纯度碳纳米管导电浆料。本发明还公开了该超高纯度碳纳米管导电浆料在锂电池中的应用。本发明优化了碳纳米管的制备工艺,制备获得了一种超高纯度的碳纳米管导电浆料,减免了碳纳米管使用前的酸化石墨化过程,所述浆料应用于磷酸铁锂电池正极时,具有更优异的倍率性能及循环稳定性。 | ||
申请公布号 | CN106531287A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
申请号 | CN201610984334.6 | 申请日期 | 2016.11.09 |
申请人 | 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院 | 发明人 | 徐鸣;杜轩 |
分类号 | H01B1/24(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01M4/62(2006.01)I | 主分类号 | H01B1/24(2006.01)I |
代理机构 | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人 | 梁鹏 |
主权项 | 一种超高纯度碳纳米管导电浆料,其特征在于,包括纯度大于99.9%的阵列碳纳米管,所述阵列碳纳米管可控长度范围为100μm‑2000μm,直径为5nm‑10nm。 | ||
地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |