| 发明名称 | 用于光源-掩膜优化的图形选择方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于光源-掩膜优化的图形选择方法。所述图形选择方法包括：计算多个特征图形中每个特征图形的功率谱密度；基于所计算的每个特征图形的功率谱密度计算所述多个特征图形中任意两个特征图形之间的差异度；以及在所述多个特征图形中选择彼此之间所述差异度大于或等于预定阈值的特征图形作为测试图形，以用于光源-掩膜优化。本发明所提供的用于光源-掩膜优化的图形选择方法可以高效快速地选择用于光源-掩膜优化的测试图形，同时不会遗漏任何关键图形，从而实现高效、高精确度的光源-掩膜优化。 | ||
| 申请公布号 | CN106528899A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201510572327.0 | 申请日期 | 2015.09.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 裴金花 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种用于光源‑掩膜优化的图形选择方法，其特征在于，所述图形选择方法包括：计算多个特征图形中每个特征图形的功率谱密度；基于所计算的每个特征图形的功率谱密度计算所述多个特征图形中任意两个特征图形之间的差异度；以及在所述多个特征图形中选择彼此之间所述差异度大于或等于预定阈值的特征图形作为测试图形，以用于光源‑掩膜优化。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||