一种提高板式PECVD镀膜沉积速率的装置

摘要

本实用新型公开了一种提高板式PECVD镀膜沉积速率的装置，其包括石墨框、等间距固定在石墨框下底面的复数块硅片、设置在石墨框下方的U型槽、以及设置在U型槽内的石英管，所述U型槽的底部设有一氨气通气孔，所述U型槽的两个侧翼上各设有一硅烷通气孔，所述U型槽的外围还设有一U型磁铁，所述U型磁铁的开口方向和U型槽的开口方向一致。本实用新型能够提高等离子体的利用率和氮化硅薄膜的沉积速率，降低机台的运行成本，保证了氮化硅薄膜的均匀性。

主权项

一种提高板式PECVD镀膜沉积速率的装置，其包括石墨框（1）、等间距固定在石墨框下底面的复数块硅片（2）、设置在石墨框下方的U型槽（3）、以及设置在U型槽内的石英管（4），所述U型槽的底部设有一氨气通气孔（5），所述U型槽的两个侧翼上各设有一硅烷通气孔（6），其特征在于：所述U型槽的外围还设有一U型磁铁（7），所述U型磁铁的开口方向和U型槽的开口方向一致。