| 发明名称 | 半导体装置的制造方法及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法在＜10-11＞±1度、＜10-1-1＞±1度、＜10-12＞±1度或＜10-1-2＞±1度的方向上将杂质离子注入到SiC层。 | ||
| 申请公布号 | CN106531617A | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201610031064.7 | 申请日期 | 2016.01.18 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 河野洋志;新田智洋 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于：在＜10‑11＞±1度、＜10‑1‑1＞±1度、＜10‑12＞±1度或＜10‑1‑2＞±1度的方向上将杂质离子注入到SiC层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||