| 发明名称 | 一种可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器，包括采用依次叠放布置的衬底、参考地电极层、电介质薄膜层及传输线层，在所述衬底、参考地电极层、电介质薄膜层和传输线层中至少一层结构上设置光子晶体结构。本发明具有结构简单紧凑、制作简便、能够抑制器件高频辐射、降低器件高频损耗等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103956540B | 申请公布日期 | 2017.03.22 |
| 申请号 | CN201410176501.5 | 申请日期 | 2014.04.29 |
| 申请人 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 发明人 | 陈书明;张金英;宁希;池雅庆;梁斌 |
| 分类号 | H01P1/18(2006.01)I;H01Q3/34(2006.01)I | 主分类号 | H01P1/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人 | 周长清 |
| 主权项 | 一种可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器，包括采用依次叠放布置的衬底（1）、参考地电极层（2）、电介质薄膜层（3）及传输线层（4），其特征在于，在所述衬底（1）、参考地电极层（2）、电介质薄膜层（3）和传输线层（4）中至少一层结构上设置光子晶体结构（7），所述电介质薄膜层（3）是一层介电常数可调谐的电介质薄膜以用于实现移相器移相度调谐。 | ||
| 地址 | 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学计算机学院微电子与微处理器研究所 | ||