发明名称 制造具有高效率散热路径的堆叠式半导体裸片组合件的方法
摘要 本发明涉及用于封装半导体裸片组合件的方法。在一个实施例中,一种方法涉及封装具有第一裸片及在所述第一裸片上方布置成堆叠的多个第二裸片的半导体裸片组合件,其中所述第一裸片具有从所述第二裸片堆叠向外横向地延伸的外围区域。所述方法可包括将热传递结构耦合到所述第一裸片的所述外围区域且使底部填充材料流入所述第二裸片之间。所述底部填充材料是在将所述热传递结构耦合到所述第一裸片的所述外围区域之后流入,使得所述热传递结构限制所述底部填充材料的横向流动。
申请公布号 CN106537588A 申请公布日期 2017.03.22
申请号 CN201580037974.X 申请日期 2015.06.25
申请人 美光科技公司 发明人 萨米尔·S·瓦德哈维卡;李晓;史蒂文·K·赫罗特休斯;李健;杰斯皮德·S·甘德席;詹姆士·M·戴德里安;大卫·R·亨布里
分类号 H01L25/065(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L25/065(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 路勇
主权项 一种用于封装具有第一裸片及布置成堆叠且附接到所述第一裸片的多个第二裸片的半导体裸片组合件的方法,其中所述第一裸片具有从所述第二裸片堆叠向外横向地延伸的外围区域,所述方法包括:将热传递结构的至少一部分定位在所述第一裸片的所述外围区域处,其中所述热传递结构包括热传导材料;及在将所述热传递结构定位在所述第一裸片的所述外围区域上之后,使底部填充材料流入所述第二裸片之间,其中所述底部填充材料具有从所述第二裸片堆叠横向地延伸的填角料,且其中所述底部填充材料的所述横向延伸受所述热传递结构限制。
地址 美国爱达荷州