免封装高亮度LED芯片结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种免封装高亮度LED芯片结构及其制作方法，包括：GaN基LED结构及透明衬底；GaN基LED结构包括反射镜、N型GaN层、发光层、P型GaN层、透明电极、P电极、N电极及P电极引出电极；反射镜、N型GaN层、发光层、P型GaN层及透明电极由下至上依次叠置；GaN基LED结构远离反射镜的一面为P面；P电极贯穿透明电极且与P型GaN层接触连接；N电极位于N型GaN层表面或位于反射镜表面；P电极引出电极一端与P电极相连接，另一端贯穿P型GaN层、发光层、N型GaN层及反射镜并延伸至反射镜的表面；透明衬底键合于GaN基LED结构的P面。本发明的LED芯片结构具有漏电率低、实现免封装及出光效率高等优点。

主权项

一种免封装高亮度LED芯片结构，其特征在于，所述免封装高亮度LED芯片结构包括：GaN基LED结构及透明衬底；所述GaN基LED结构包括反射镜、N型GaN层、发光层、P型GaN层、透明电极、P电极、N电极及P电极引出电极；所述反射镜、所述N型GaN层、所述发光层、所述P型GaN层及所述透明电极由下至上依次叠置；所述GaN基LED结构远离所述反射镜的一面为P面；所述P电极贯穿所述透明电极且与所述P型GaN层接触连接；所述N电极位于所述N型GaN层表面或位于所述反射镜表面；所述P电极引出电极一端与所述P电极相连接，另一端贯穿所述P型GaN层、所述发光层、所述N型GaN层及所述反射镜并延伸至所述反射镜的表面，以将所述P电极自所述反射镜一侧引出；所述透明衬底键合于所述GaN基LED结构的P面。