| 摘要 |
【課題】電極と窒化ガリウム系材料との間のコンタクト抵抗のばらつきを抑制することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置１００は、基板１０を備える。第１層４０は、基板１０の第１面の上方に設けられ、ＩＩＩ族窒化物半導体層を含む。第２層５０は、第１層４０上に設けられ、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２を有し、Ａｌを含有するＩＩＩ族窒化物半導体層を含む。電極９１、９２は、第１領域上Ｒ１に設けられている。第１領域Ｒ１における第１材料の濃度は、第２領域Ｒ２における第１材料の濃度よりも高い。第１層４０と第２層５０との積層方向において、第１材料の濃度は、第１領域Ｒ１において最大値を有する。【選択図】図１ |
