发明名称 半導体装置の製造方法および半導体装置
摘要 【課題】外観検査工程において不良を発見し易い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体装置の製造方法は、第1面と、該第1面の反対側にある第2面と、前記第1面と前記第2面との間にある側面とを有する基板の第1面上に半導体チップを搭載することを具備する。半導体チップ上に半導体チップの第1面を封止する樹脂部を形成する。接地電位源に電気的に接続される導電性膜を、樹脂部の上面上および樹脂部の側面上に形成する。酸素または窒素を含む雰囲気中において金属を導電性膜上に成膜することによって導電性膜上に金属酸化膜または金属窒化膜を形成する。【選択図】図2
申请公布号 JP2017055070(A) 申请公布日期 2017.03.16
申请号 JP20150179997 申请日期 2015.09.11
申请人 株式会社東芝 发明人 高野 勇佑;渡部 武志
分类号 H01L23/28;H01L21/28;H01L23/00 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人
主权项
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